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高三期末-高三期末物理安培力(一)
安培力的大小
�、惫紽=BILsinθ (θ為B與I夾角)
�、餐妼Ь�與磁場方向垂直時，安培力較大;
�、惩妼Ь�平行于磁場方向時，安培力為零;
�、碆對放入的通電導線來說是外磁場的磁感應強度
⒌式中的L為導線垂直于磁場方向的有效切割長度。
例如，半徑為r的半圓形導線與磁場B垂直放置，導線的的等效長度為2r，安培力的大小就是BI*2r 。
高三期末-高三期末物理安培力(二)
安培力的方向
�、狈较蛴勺笫侄▌t來判斷。
�、舶才嗔偸谴怪庇诖鸥袘獜姸菳和電流I所決定的平面，但B、I不一定是垂直關系。
洛倫茲力f向安培力F推導
如果將上述的導線垂直放入磁場，那么每個電荷(基元電荷)受到的洛侖茲力為f=evB;
我們依然取上述長為l的一段導線，其中的電荷總數(shù)量依然是N=nV=nSL;
那么這段導線的所有電子的洛倫茲的合力為F=Nf=nSLevB;
在這里我們補充一下，所有的洛倫茲力f的方向是一致的，因此合力就是Nf。
利用(2)中I的推導公式I=neSv;將其帶入，
則有F=BIL，這就是安培力的公式。
高三期末-高三期末物理安培力(三)
我們有這樣的結論：
桿件所受到的安培力是其內(nèi)部大量粒子所受到的洛侖茲力的宏觀表現(xiàn)。
洛倫茲力與安培力公式的比較
洛倫茲力f=Bvq;其描述的是某個粒子的受力情況。
安培力F=BIL;其描述的是通電的桿件的受力情況。
通過公式的比較，我們應確定主思路：
1利用微積分基本原理，建立起單獨某個粒子與桿件內(nèi)大量粒子之間的關系;
2研究IL與vq之間的關系。
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